Популярные Нано Технологии

Поиск предприятий

Страна
Регион России

Каталог

Установка плазмо-химического осаждения диэлектриков в индуктивно-связанной плазме SI 500 D PTSA ICP Plasma Deposition System

Поставщик - ЭНЕРГОАВАНГАРД, ООО

Цена с НДС - дог.

Валюта - руб

SI 500 D PTSA ICP Plasma Deposition System - установка плазмо-химического осаждения диэлектриков в индуктивно-связанной плазме (ICPCVD) - T<100°C
- (P)lanar (T)riple (S)piral (A)ntenna source - источник ИСП тройная плоская спиральная антенна
- Превосходная однородность, прекрасная воспроизводимость при осаждении диэлектриков
- Высокая скорость осаждения
- Низкий уровень повреждения
- Высококачественные низкотемпературные диэлектрические пленки (Т>=80°C)
- Вакуумный загрузочный шлюз
- Операции контролируются компьютером
- Программное обеспечение SENTECH Software
- Диаметр обрабатываемых пластин до 200мм.
- Установка через стену (опция)
- Кассетная станция
- Лазерная интерферометрия (определение толщины осаждаемого слоя, скорости роста пленки, времени окончания процесса - end-point detection).

Система плазмо-химического осаждения SI 500 D PTSA ICP Plasma Deposition System производства SENTECH Instruments GmbH специально разработана для низкотемпературного нанесения диэлектрических пленок (SiO2, Si3N4, SiOxNy) на полупроводниковые и органические подложки.

Отличительные особенности системы – плоский источник индуктивно связанной плазмы PTSA 200, электрод подложки с гелиевым охлаждением и динамической регулировкой температуры, а также высокоэффективная вакуумная система. Эти особенности позволяют получать слои диэлектриков высокого качества при низкой температуре (80оС – 130 оС), производить эффективную сухую очистку реакторной камеры. Все важные параметры оборудования контролируются автоматически.

Электрод подложки рассчитан на работу с 6” пластинами или держателями пластин (держатели используются для пластин размером меньше, чем 6”).

Вакуумная система, состоящая из турбомолекулярного и форвакуумного насоса, разработана в соответствии с требованиями ICP процессов. Газовая система, реакторная камера и вакуумная система позволяют использовать силан (SiH4) и аммиак (NH3). Автоматические дроссельные регуляторы поддерживают постоянное давление в реакторной камере, независимо от интенсивности газового потока.

Система управляется с помощью аппаратного и программного обеспечения с архитектурой клиент-сервер. Контроллер удаленного доступа (RFC) служит для управления всеми компонентами системы в режиме реального времени через последовательную шину данных (Interbus). Основные защитные блокировки реализуются посредством RFC. Современный ПК с операционной системой Windows 2000 дает возможность управлять процессом травления, устанавливать защиту от ошибок оператора, визуализировать параметры процесса и т.д.

Авторизация

логин
пароль
Регистрация Забыли пароль?

Реклама нефтегаз