Популярные Нано Технологии

Поиск предприятий

Страна
Регион России

Каталог

Нанотехнологии Popnano RU/Каталог/Продукция/Наноматериалы /Экология и сельское хозяйство /Ткани/прочие материалы/Разное_/графит/Изделия автомобильной промышленности/Вспомогательные материалы/тест-системы для диагностики заболеваний/нанокристаллическая керамика для костной хирургии/наноматериалы для повышения эффективности клеточной и генно-модифицированной терапии /наночастицы для антибактериального применения /селективные катализаторы /адсорбенты /многофункциональные фильтрационные установки на основе наноструктурных пористых материалов /биоразрушаемые химикаты для питания и защиты растений и животных /сверхпроводящие наноструктурные провода и кабели /солнечные фотоэнергосистемы /Медь и сплавы на ее основе /Алюминий и сплавы на его основе /наноструктурные материалы для средств бронезащиты /ультра- и нанодисперсные кристаллические окислители и взрывчатые вещества, энергонасыщенные системы /Средства управления и связи, включая средства глобальной и локальной навигации /криоэлектроника и флуксонные устройства на основе сверхпроводящих наноструктур /фотопреобразователи /оптические системы (линзы и др.) /Сенсоры на основе каталитических и электрокаталитических процессов /Светодиоды на полупроводниковых гетероструктурах /Органические светодиоды /Твердотельные и органические лазеры /Тепловизоры высокого разрешения /Одноэлектронные (зарядовые) кубиты /Считывающие и интерфейсные устройства к кубитам /Наноразмерные биомолекулярные усройства /Медицинский инструмент/Цементы /наноалмазы /кремний/

Арсенид галлия (GaAs)

Поставщик - Гиредмет, Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности

Ед. изм. - г

Цена с НДС - дог.

Валюта - руб

Монокристаллы арсенида галлия предназначены для использования в производстве дискретных приборов и интегральных схем СВЧ-диапазона, дискретных и матричных фотоприемников, светодиодов, фотокатодов, преобразователей солнечной энергии, детекторов ионизирующих излучений, оптических изделий для ввода-вывода, фокусировки и модуляции ИК-излучения и др.

Метод выращивания Метод Чохральского с жидкостной герметизацией расплава (LEC)
Кристаллографическая ориентация оси слитка (100), (111), (110), (211), (310)
Номинал диаметра слитка, мм 50,8; 76,2
Материал полуизолирующий полупроводящий
легирующая примесь нелегированный Si или Te Zn
тип проводимости n n p
концентрация носителей заряда, см-3 - 1x1017 - 3x1018 1x1017 - 3x1019
удельное сопротивление, Oм.cм >1x107 - -
подвижность, см2/В.с >5000 4200-1200 170-40
плотность дислокаций, см-2 Ш50.8 мм
Ш76.2 мм <5x104 или <8x104
<8x104 или <1x105 <5x104 или <8x104
<8x104 или <1x105 <5x104 или <8x104
<8x104 или <1x105

Возможна поставка монокристаллов с параметрами, отличающимися от указанных в таблице.

Авторизация

логин
пароль
Регистрация Забыли пароль?

Реклама нефтегаз