Популярные Нано Технологии

Поиск предприятий

Страна
Регион России

Каталог

Радикал

Поставщик - ФТИАН

Цена с НДС - дог.

Валюта - руб

Источник ионов для очистки, активации и полировки поверхностей, прецизионного селективного травления материалов и осаждения пленок непосредственно из пучков ионов.
Рабочие вещества: Инертные газы, хлорфторсодержащие газы, кремний содержащиесоединения, углеводороды.

Технологические возможности реактивного ионно–лучевого травления:
Обрабатываемые материалы - диэлектрики (SiO2, Si3N4, ФСС и др.), полупроводники(Si, GaAs и др.), металлы и сплавы (Cu, Au, Ti, W, AlCu, NiFe и др.)
Разрешающая способность, мкм: < 0.15
Точность переноса размеров элементов, мкм: < 0.05
Скорости травления, нм/c:
- двуокиси кремния: <= 3
- металлов, полупроводников: <= 1.5
Селективность травления:
- SiO2:Si: (15ч20):1
- SiO2:GaAs: (10ч12):1
Глубина травления кварца, мкм: <= 100

Технологические возможности осаждения материалов непосредственно из пучков ионов:
Осаждаемые материалы: алмазоподобные пленки, оксинитриды, карбиды и окислы кремния
Скорости осаждения, нм/c: ˜2.5
Толщина осаждаемых пленок, мкм: до 5

Технические характеристики

Авторизация

логин
пароль
Регистрация Забыли пароль?

Реклама нефтегаз