Популярные Нано Технологии

Поиск предприятий

Страна
Регион России

Каталог

Кластер Молекулярно-Лучевой Эпитаксии

Тип, марка - Кластер MBE

Поставщик - НТ-МДТ, ЗАО

Ед. изм. - шт

Цена с НДС - дог.

Валюта - руб

Кластер молекулярно-лучевой эпитаксии предназначен для эпитаксиального роста классических соединений типа AIIIBV и полупроводниковых гетероструктур на основе нитридов III-й группы на подложках диаметром до 100 мм. Возможно также выращивание материалов системы InAlGaN/GaN с использованием аммиака в качестве источника активного азота.
В состав кластера входят:
- Модуль молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs (Модуль MBE GaAs);
- Модуль молекулярно-лучевой эпитаксии GaN (Модуль MBE GaN);
- Сверхвысоковакуумный модуль межоперационного складирования (Модуль SSRT);
- Модуль загрузки для групповых технологий (Модуль FDL);
- Сверхвысоковакуумный радиальный транспортный модуль (Модуль RDC).

Технические характеристики

Авторизация

логин
пароль
Регистрация Забыли пароль?

Реклама нефтегаз