Популярные Нано Технологии

Поиск предприятий

Страна
Регион России

Каталог

Полевые транзисторы с туннельными контактами

Поставщик - НИИФП им Лукина

Цена с НДС - дог.

Валюта - руб

Назначение:
Сверхбольшие МОП интегральные схемы на элементах с субмикронными и нанометровыми размерами.
Принцип:
Контакт металл-туннельный диэлектрик-полупроводник (МТДП) является перспективной структурой при переходе в нанометровый диапазон топологических размеров. Он обладает инжекционными свойствами, зависящими от соотношения работы выхода металла и полупроводника, которая сохраняется в широком диапазоне условий работы. Использование МТДП контактов в качестве стоков/истоков МОП транзисторов позволяет упростить конструкцию последних и сохранить им работоспособность при нанометровых размерах.

Свойства:
- Однородная полупроводниковая подложка или пленка;
- Низкотемпературная технология;
- Работоспособность в субмикронном и нанометровом диапазонах;
- Работоспособность при криогенных температурах;
- Возможность использования органических диэлектриков.
Область применения: Микросистемы, наноэлектроника, молекулярная электроника.
Состояние разработки: Изготовлены и исследованы экспериментальные интегральные схемы с МТДП контактами.

Технические характеристики

Авторизация

логин
пароль
Регистрация Забыли пароль?

Реклама нефтегаз