Популярные Нано Технологии

Поиск предприятий

Страна
Регион России

Каталог

Измерительная система EpiTT

Поставщик - Сигм плюс, ООО

Цена с НДС - дог.

Валюта - руб

EpiTT – измерительная система реального времени, специально разработанная для промышленного производства эпитаксиальных структур в системе материалов GaN. Возможности сенсора включают измерение скорости роста и температуры пластины в реальном времени. Также эта измерительная система может использоваться в других системах материалов и практически для любого типа ростовой системы.

В EpiTT используются рефлектометрические измерения и оптическая пирометрия с компенсацией влияния излучательной способности, что позволяет в реальном времени корректно измерять температуру поверхности с точностью менее ±1 K. Анализ в реальном времени скорости роста с точностью до ±0.001нм/с возможен благодаря уникальной высокотемпературной базе данных LayTec, охватывающей широкий ряд материалов.

EpiTT также позволяет проводить рефлектометрические измерения на второй длине волны, значение которой выбирается пользователем. Это дает возможность получить беспрецедентную точность контроля роста, в особенности для гетероструктур в системе материалов GaN. Анализ роста структур GaN на типичной для этой системы материалов длине волны (950нм) не дает информации о слоях GaN толще 1мкм и не подходит для оптимиза-ции режимов роста буферного слоя.

Особенности и преимущества EpiTT:
- высокая скорость проведения измерений излучательной и отражательной способностей
- выборочный мониторинг пластин и возможность контроля скорости роста непосредственно в процессе эпитаксии
- измерения реальной температуры на поверхности пластины в процессе роста
- возможность выбора второй длины волны в диапазоне от 600 до 1000нм
- волоконно-оптические соединения
- компактный размер
- простое и наглядное программное обеспечение для анализа скорости роста
- доступны также оптимизированные версии для GaAs и InP
- интерактивное взаимодействие с программным обеспечением, контролирующим процесс эпитаксиального роста (MOCVD, MBE)
- специальная версия для больших объемов производства
- возможность работать в эпитаксиальных системах с высокими скоростями вращения подложкодержателя (до 200 об./мин.)

Простое и удобное в использовании программное обеспечение EpiTT может удаленно контролироваться компьютером, управляющим процессом эпитаксиального роста. В эпитаксиальных реакторах с несколькими подложками EpiTT позволяет измерять даже температуру подложкодержателя между пластинами. В качестве дополнительной функции EpiTT может осуществлять обратную связь по реальной температуре эпитаксиальных пластин и определять момент достижения режима роста с заданной скоростью.

Более глубокое исследование ростовых процессов в нитридной системе материалов позволяет осуществлять другой сенсор производства LayTec: EpiR TT, использующий методы спектральной рефлектометрии.

EpiTT широко используется в системах МОС-гидридной и молекулярно лучевой эпитаксии, включая планетарные реакторы AIX, системы TSS-EZ CCS и различные установки МЛЭ.

Авторизация

логин
пароль
Регистрация Забыли пароль?

Реклама нефтегаз