Популярные Нано Технологии

Поиск предприятий

Страна
Регион России

Каталог

Система EPICURVE

Поставщик - Сигм плюс, ООО

Цена с НДС - дог.

Валюта - руб

С увеличением размера подложек, используемых при выращивании гетероструктур GaN для светодиодов, с 2 до 4 дюймов критичным становится вопрос уменьшения изгиба пластин в процессе роста. Для больших пластин тот же уровень механических напряжений приводит к существенному увеличению расстояния между подложкой и подложкодержателем, что увеличивает вариации температуры по поверхности пластины. Для максимального увеличения эффективности производства оптоэлектронных приборов на основе нитридных структур с большим диаметром пластин в процессе роста требуется осуществлять прецизионный контроль напряжений в структурах для уменьшения их изгиба. Уникальная комбинация измерений температуры и кривизны пластины позволяет с помощью сенсора EpiCurve определить температурные отклонения, вызванные изгибом пластины, и затем оптимизировать ростовой процесс, уменьшив изгиб пластин.

В EpiCurve® используются рефлектометрические измерения и оптическая пирометрия с компенсацией влияния излучательной способности, что позволяет в реальном времени с высокой точностью измерять как температуру поверхности (с точностью лучше ±1 K), так и изгиб пластины. Анализ скорости роста в реальном времени с точностью до ±0,001нм/с возможен благодаря уникальной высокотемпературной базе данных LayTec, охватывающей широкий ряд материалов. Кривизна может измеряться выборочно по пластинам с точностью до
0,005м-1.

EpiCurve® дополнительно позволяет проводить рефлектометрические измерения на второй длине волны, значение которой определяется пользователем. Это дает возможность достичь беспрецедентной точности контроля роста. В частности, для структур GaN используются узкополосные измерения на длине волны 633 нм. Анализ роста структур GaN на типичной для этой системы материалов длине волны 950 нм не дает информации о сло-ях GaN толще 1мкм и не подходит для оптимизации роста буферного слоя.

Особенности и преимущества EpiCurve:
Включает все функции EpiTT:
- Измерения реальной температуры пластины с компенсацией влияния излучательной способности
- измерение скорости роста, осуществляемое методами оптической рефлектометрии на двух длинах волн, значения которых определяются пользователем (между 600 и 1000 нм).
- высокая скорость проведения измерений излучательной и отражательной способности
- выборочный мониторинг пластин и возможность контроля скорости роста непосредственно в процессе эпитаксии

а также:
- возможность измерения в реальном времени кривизны подложки
- может использоваться в реакторах как с одной, так и несколькими подложками, включая системы с планетарным вращением
- корректно работает с прозрачными и слабоотражающими подложками

Дополнительные характеристики:
- подвод излучения к модулю рефлектометрических измерений и модулю температурных измерений с помощью волоконных световодов.
- компактный размер
- простое в использовании и точное программное обеспечение для анализа скорости роста
- доступны оптимизированные версии для GaAs и InP
- интерактивное взаимодействие с программным обеспечением, контролирующим процесс эпитаксиального роста (MOCVD, MBE); программное или аппаратное подключение
- специализированные комплексные решения для производственного цикла
- возможность работать в эпитаксиальных системах с высокими скоростями вращения подложкодержателя (до 100 об./мин.)

Все существующие системы мониторинга EpiTT могут быть модифицированы в EpiCurve®.

Простое и удобное в использовании программное обеспечение EpiCurve® может удаленно контролироваться компьютером, управляющим процессом эпитаксиального роста. В эпитаксиальных реакторах с несколькими подложками EpiCurve® позволяет измерять также и температуру подложкодержателя между пластинами. В качестве дополнительной функции EpiCurve® может осуществлять обратную связь по реальной температуре эпитаксиальных пластин и определять момент достижения режима роста с заданной скоростью.

Более глубокое исследование ростовых процессов в нитридной системе материалов позволяет осуществлять другой сенсор поизводства LayTec: EpiR TT, использующий методы спектральной рефлектометрии.

EpiCurve® разработан для работы в системах МОС-гидридной и молекулярно лучевой эпитаксии, включая планетарные реакторы AIX, системы TSS-EZ CCS и различные установки МЛЭ.

Авторизация

логин
пароль
Регистрация Забыли пароль?

Реклама нефтегаз