Популярные Нано Технологии

Поиск предприятий

Страна
Регион России

Каталог

Высокоскоростной спектроскопический рефлектометр EpiR

Поставщик - Сигм плюс, ООО

Цена с НДС - дог.

Валюта - руб

EpiR – высокоскоростной спектроскопический рефлектометр реального времени, предназначенный для измерений параметров ростового процесса (например, скорости роста) и работающий со структурами на основе InP, GaAs и GaN. Используя схему параллельного детектирования, эта система позволяет осуществлять очень точные оптические измерения при высокой скорости регистрации (менее 1с на спектр). EpiR идеально подходит для выборочного мониторинга пластин в ростовых реакторах с несколькими подложками. Прибор может изготавливаться в двух спектральных диапазонах (EpiR UV и EpiR IR), а также оснащаться дополнительным сенсором для измерения реальной температуры на поверхности пластины (версия EpiR TT).

EpiR поставляется с собственным программным обеспечением EpiSense, обеспечивающим контроль и анализ поступающих данных. Для более углубленного исследования LayTec предлагает автономный программный продукт AnalysR.

Особенности и преимущества EpiR:
- быстрота измерений оптической спектральной отражательной способности
- определение состава тройных соединений
- сохранение полной информации о ходе эпитаксиального роста приборных гетероструктур
- простота проведения выборочных измерений по пластинам и корректировка скорости роста
- измерение реальной температуры на поверхности пластины в процессе роста
- спектральный диапазон: 280-750 нм или 500-1000 нм
- легкая интеграция в любую эпитаксиальную систему с помощью волоконных соединений
- 19-ти дюймовый электронный блок управления и контролирующий компьютер
- программное обеспечение EpiSense
- интерактивная связь с программным обеспечением для MOCVD и MBE

EpiR TT
EpiR TT обеспечивает измерение реальной температуры на поверхности пластины в процессе роста. Эта дополнительная возможность позволяет точнее контролировать эпитаксиальные процесс.

EpiR UV
EpiR UV разработан для работы с нитридной системой материалов и производит измерения в спектральном диапазоне от 280 до 750 нм. Эта версия сенсора открывает возможность непосредственного наблюдения и исследования процессов формирования зародышевого слоя, определения скорости роста и толщин слоев.

EpiR IR
EpiR IR прокалиброван для систем материалов GaAs / InP и работает в спектральном диапазоне от 500 до 1000 нм (по запросу максимальная длина волны может быть увеличена). Этот сенсор чрезвычайно полезен при выращивании VCSEL структур с длинами волн 650-850 нм. С помощью спектральной рефлектометрии, специальной высокотемпературной базы данных и возможности анализа, заложенной в измерительное программное обеспечение, сенсор позволяет быстро и с высокой точностью определять толщины слоев и проводить корректировку значения ширины запрещенной зоны растущего материала.

Авторизация

логин
пароль
Регистрация Забыли пароль?

Реклама нефтегаз