Справочник

Термины

Самосборка

процесс конструирования наноматериалов по принципу «снизу-вверх», основанный на самоорганизованном формировании различных нанообъектов. Источник 

СБОМ

сканирующая оптическая микроскопия ближнего поля; разновидность СЗМ, основана на детектировании ближнепольного оптического излучения, возникающего в результате взаимодействия источника света нанометровых размеров с поверхностью материала. Источник

Сборка «сверху-вниз»

классический принцип построения наноматериалов, заключающийся в «измельчении» или удалении лишних частей обычных макроскопических материалов. Источник

Сборка «снизу-вверх»

принцип построения наноматериалов, заключающийся в конструировании наноматериалов из более малых блоков (атомов и молекул). Источник

Сверхрешетка

Одномерная сверхрешетка представляет собой периодическую структуру тонких чередующихся слоев двух полупроводников, повторяющихся в одном направлении. Период по толщине обычно составляет несколько десятков нанометров, что больше периода кристаллической решетки, но меньше длины свободного пробега электронов.

Различают два типа сверхрешеток (возможны также комбинированные типы):

- композиционные — периодический потенциал создается последовательным включением гетероструктур;

- легированные — периодический потенциал создается за счет чередования типов легирования одного полупроводника. 

Композиционная СР	Легированная СР

Особенностью сверхрешетки является наличие собственных разрешенных и запрещенных подзон для электронов. Таким образом, в сверхрешетке в отдельных слоях разрешенными становятся состояния, которые расположены в запрещенной зоне полупроводника. Данные особенности проявляются при исследовании оптических и электронных свойств полупроводниковых материалов, содержащих сверхрешетки.

Сверхрешетки применяют в различных полупроводниковых приборах. Наиболее ярким примером является использование сверхрешеток в каскадных полупроводниковых лазерах.

Источник

Светодиод

это полупроводниковый диод на p-n переходе, излучение света в котором происходит за счет рекомбинации неравновесных электронно-дырочных пар, инжектированных в область пространственного заряда p-n перехода. 

На практике полупроводниковые кристаллы светодиодов не используются в открытом виде. Светодиоды имеют корпус, состоящий из прозрачной полимерной линзы и донышка, на котором под линзой креплена подножка с кристаллом. В зависимости от мощности светодиода донышко изготавливается более или менее массивным, чтобы обеспечить необходимое рассеивание тепла, которое выделяется при работе светодиода.
К алюминиевым контактным площадкам кристалла приварены выводы анода и катода, которые выходят за пределы корпуса и используются для подключения светодиода к электрической цепи.

Как и обычный диод, светодиод работает только тогда, когда он правильно включен, то есть включен в прямом направлении: к катоду – «минус», к аноду – «плюс». В этом случае рабочая точка диода будет находиться на восходящей половине его вольт-амперной характеристики (ВАХ) и через p-n-переход диода будет протекать прямой ток – Iпр. Рабочие значения этого тока достигаются при заданных велечинах напряжения питания Uпр.

Интенсивность свечения светодиода зависит от величины приложенного напряжения питания. Однако лишь при номинальной величине этого напряжения обеспечивается оптимальное соотношение силы света, энергопотребления и долговечности светодиода.

Светодиоды можно запитать от источника импульсного напряжения, частотой около 1 кГЦ. В этом случае для управления силой света (диммирования) применяется широтно-импульсное модулирование (ШИМ), когда энергия тока через p-n-переход регулируется исключительно параметрами импульсного напряжения.

К потребительской электросети переменного тока светодиоды подключаются с помощью специальных драйверов – устройств, преобразующих переменное напряжение этой сети в постоянное или импульсное.

Источник

Сегнетоэлектрики

вещества, обладающие в определенном температурном интервале спонтанной (самопроизвольной) поляризацией, ориентированной в двух или нескольких направлениях, которые могут быть изменены под действием электрического поля. Источник

Серая слизь

Термин, введенный Эриком Дрекслером, в книге «Машины Созидания» (1986 г.). Обозначает гипотетический сценарий конца света в результате поглощения биомассы планеты неуправляемыми самовоспроизводящимися нанороботами.

Силовая микроскопия пьезоэлектрического отклика

(Piezoresponse Force Microscopy, PFM) является уникальным инструментом для исследования локальных пьезоэлектрических свойств материалов. В основе PFM лежит регистрация локального пьезоотклика материала при приложении переменного электрического поля с помощью проводящего зонда микроскопа. Позволяет с нанометровым пространственным разрешением исследовать доменную структуру сегнетоэлектриков, измерять неоднородность пьезоэлектрических свойств материалов, измерять локальные петли пьезоэлектрического гистерезиса. 

Силовая спектроскопия

Силовая спектроскопия (Force Distance Spectroscopy) позволяет проводить измерение сил притяжения и отталкивания, возникающих между зондом и поверхностью образца при последовательном автоматическом приближении зонда к поверхности и его обратном подъеме. Получаемые в результате данные служат характеристикой фундаментальных силовых взаимодействий, локальных адгезионных и упругих свойств поверхности с нанометровым пространственным разрешением.