ПОПУЛЯРНЫЕ НАНОТЕХНОЛОГИИ

Поиск предприятий

Страна
Регион России

Каталог

Каталог/Продукция/Наноматериалы /Экология и сельское хозяйство /Ткани/прочие материалы/Разное_/графит/Изделия автомобильной промышленности/Вспомогательные материалы/тест-системы для диагностики заболеваний/нанокристаллическая керамика для костной хирургии/наноматериалы для повышения эффективности клеточной и генно-модифицированной терапии /наночастицы для антибактериального применения /селективные катализаторы /адсорбенты /многофункциональные фильтрационные установки на основе наноструктурных пористых материалов /биоразрушаемые химикаты для питания и защиты растений и животных /сверхпроводящие наноструктурные провода и кабели /солнечные фотоэнергосистемы /Медь и сплавы на ее основе /Алюминий и сплавы на его основе /наноструктурные материалы для средств бронезащиты /ультра- и нанодисперсные кристаллические окислители и взрывчатые вещества, энергонасыщенные системы /Средства управления и связи, включая средства глобальной и локальной навигации /криоэлектроника и флуксонные устройства на основе сверхпроводящих наноструктур /фотопреобразователи /оптические системы (линзы и др.) /Сенсоры на основе каталитических и электрокаталитических процессов /Светодиоды на полупроводниковых гетероструктурах /Органические светодиоды /Твердотельные и органические лазеры /Тепловизоры высокого разрешения /Одноэлектронные (зарядовые) кубиты /Считывающие и интерфейсные устройства к кубитам /Наноразмерные биомолекулярные усройства /Медицинский инструмент/Цементы /наноалмазы /кремний/

Антимонид индия (InSb)

Поставщик - Гиредмет, Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности

Ед. изм. - г

Цена с НДС - дог.

Валюта - руб

Монокристаллы антимонида индия находят применение в производстве гальваномагнитных приборов, оптоэлектронных приборов для контроля окружающей среды, а также в военной технике (индивидуальные и матричные приемники излучения для средней области ИК-спектра).

Метод выращивания Метод Чохральского
Кристаллографическая ориентация оси слитка (100), (111)
Номинал диаметра слитка, мм 50,8
Материал нелегированный легированный
легирующая примесь нет Te Ge или Mn
тип проводимости n n p
концентрация носителей заряда (77K), см -3 (0,3 - 3)x1015 3x1015 - 1x1018 1x1015 - 5x1018
подвижность (77K), cм2/В.с >4x105 >1x104 6,5x103 - 1x102
плотность дислокаций, см-2 ≤200

Возможна поставка монокристаллов с параметрами, отличающимися от указанных в таблице.

Авторизация

логин
пароль
Регистрация Забыли пароль?