Каталог
Установка молекулярно-пучковой эпитаксии STE3N3
Тип, марка - SemiTEq
Поставщик - NTI
Ед. изм. - шт
Цена с НДС - дог.
Валюта - руб
Установка МПЭ для выращивания нитридов металлов III группы.
Областью применения установки молекулярно-пучковой эпитаксии STE3N3 являются фундаментальные и прикладные научные исследования, опытно-конструкторские работы и мелкосерийное экспериментальное производство эпитаксиальных структур.
Конструкция установки STE3N3 допускает возможность вакуумно плотной стыковки с другими вакуумными камерами и установками (например, металлизации, анализа и иной обработки) в том числе объединения в комплекс НАНОФАБ.
Установка молекулярно-пучковой эпитаксии STE3N3 предназначена для эпитаксии полупроводниковых гетероструктур на основе нитридов III-ей группы и сконфигурирована для выращивания материалов системы InAlGaN/GaN с использованием аммиака в качестве источника активного азота.
Технические характеристики
| Расход жидкого азота в сутки при непрерывной работе, литров, не более |
750 |
| Максимальное остаточное давление в камере роста после прогрева 200С в течение 48 часов, с отключенным нагревом подложки и испарителей при откачке ионным насосом, Па, не хуже |
1х10 (в -8 степени) |
| Температура прогрева камеры роста, град., не менее |
200 |
| Температура прогрева камер перезарядки и предварительной подготовки, град., не менее |
150 |
| Минимальная экстраполированная скорость напыления нанослоев, нм/с, не более |
0,001 |
| Максимальная температура нагрева подложки в камере предварительной подготовки, град., не менее |
650 |
| Максимальная рабочая температура тигельных молекулярных источников, град., не менее |
1350 |
| Максимальный поток газовой компоненты роста, не менее |
200 ст. куб.см/с |
| Максимальное количество молекулярных источников |
7+1 |
| Максимальная скорость вращения держателя подложки, об./с |
1 |
| Максимальная температура нагрева подложки, град., не менее |
1000 |
| Максимальный диаметр подложки, мм |
100 |
| Максимальная энергия пучка электронов электронной пушки RHEED, КэВ |
30 |
| иапазон измерений квадрупольного масс-спектрометра, а.е.м |
1-200 |
| Диапазон измерений пирометра, С |
500-1200 |
