Популярные Нано Технологии

Кадры

Справочник

Англо-русский нанотехнологический словарь

S

scanning electron microscopy (сканирующая электронная микроскопия) - разновидность электронной микроскопии, в которой для зондирования исследуемой поверхности используется сканирование по ней сфокусированного пучка электронов. Для формирования изображения используется детектирование различных сигналов, включая вторичные электроны, обратно рассеянные электроны, рентгеновское излучение и ток через образец. Двумерная карта снимаемого сигнала и представляет собой изображение поверхности.
scanning probe microscopy (сканирующая зондовая микроскопия) - область микроскопии, в которой изображение поверхности объекта формируется с помощью зонда, сканирующего поверхность объекта. Изображение получается путем механического перемещения зонда по траектории в виде растра (строка за строкой) и регистрации взаимодействия между зондом и поверхностью как функции его положения (координат).
scanning tunneling microscopy (сканирующая туннельная микроскопия) - один из методов зондовой микроскопии, в котором анализируют плотность состояний атомов поверхности с помощью измерения туннельного тока. Предназначен для исследования поверхности проводящих веществ и материалов на атомном уровне и для формирования трехмерного изображения поверхности. Метод является также одной из нанотехнологий, позволяющих создавать на поверхности вещества (материала) искусственные наноструктуры путем перемещения отдельных атомов.
scanning tunneling spectroscopy (сканирующая туннельная спектроскопия) - совокупность методов сканирующей туннельной микроскопии, позволяющих получать информацию о локальной электронной структуре исследуемой поверхности путем варьирования напряжения между иглой и образцом.

screening length (длина экранирования) - параметр размерности длины, характеризующий глубину проникновения внешнего электрического поля в системе носителей заряда. При экранировании кулоновского поля - радиус экранирования.

secondary ionization mass spectrometry (масс-спектрометрия вторичных ионов) - Деструктивный метод химического анализа поверхности, основанный на ионизации молекулярных или атомных монослоев посредством бомбардировки вещества сфокусированным пучком ионов (Xe+, Cs+, Ga+ и др.) с энергией до нескольких кЭв.
self-assembled monolayers (самособирающиеся монослои) - монослои амфифильных молекул, образовавшиеся на поверхности подложки (субстрата) путем самосборки.
semiconductor (полупроводник) - материал, который по своей удельной проводимости занимает промежуточное место между проводником и диэлектриком.
semiconductor heterostructure (гетероструктура полупроводниковая) - искусственная структура, изготовленная из двух или более различных полупроводниковых веществ (материалов), в которой важная роль принадлежит переходному слою, т. е. границе раздела двух веществ (материалов).
severe plastic deformation (интенсивная пластическая деформация) - способ получения беспористых металлов и сплавов с размером зерна около 100 нм, заключающийся в формировании за счет больших деформаций сильно фрагментированной и разориентированной структуры, сохраняющей в себе остаточные признаки рекристаллизованного аморфного состояния.
shock wave synthesis (ударно-волновой синтез) - метод механического ударно-волнового воздействия, представляющий собой быстро протекающий процесс, который создает динамические условия для синтеза конечного продукта и его диспергирования до порошка с нанометровым размером частиц.
Silicon carbide fibres (волокна, карбидкремниевые) - конструкционное волокно, состоящее из нанокристаллического карбида кремния.
single electron transistor (одноэлектронный транзистор) - элементарный транзистор, содержащий только одну область проводимости (островок), соединённую с истоковым и стоковым электродами туннельными барьерами, и имеющую ёмкостную связь с электродом затвора.
size (pore, particle) distribution (распределение по размерам (пор, частиц)) - зависимость количества (объема , массы) частиц или пор от их размеров в исследуемом материале и кривая (гистограмма), описывающая эту зависимость.

size quantization (размерное квантование) - квантование спектра зонных носителей при их пространственном ограничении в полупроводниковых гетероструктурах. Существенно, когда масштаб пространственного ограничения порядка или меньше дины волны де Бройля, что обычно приходится на интервал от нескольких до десятков нанометров.

size quantization energy level (уровень размерного квантования) - энергетический уровень в потенциальной яме, образующийся при пространственном ограничении движения носителя заряда в наноструктурах. В системах с непараболическим спектром – дно подзоны размерного квантования.

skin – effect (скин-эффект) - явление затухания электромагнитных волн по мере их проникновения в проводящую среду.

skipping orbits (скачущие траектории) - квазиклассические траектории, соответствующие движению носителя заряда в магнитном поле с центами циклотронной орбиты, удаленными от границ образца на расстояние, меньшее циклотронного радиуса. В результате столкновений с границами, носители в этих состояниях дрейфуют (в отсутствии электрического поля) вдоль границ образца, описывая замкнутую траекторию.

small angle neutron scattering (малоугловое нейтронное рассеяние) - упругое рассеяние пучка нейтронов на неоднородностях вещества (кластеры, поры, макромолекулы, наночастицы в растворе и т.д.), размеры которых существенно превышают длину волны излучения (10-1 - 1 нм); направления рассеянных лучей при этом лишь незначительно (на малые углы) отклоняются от направления падающего луча.
sol gel transition (золь-гель переход) - процесс структурирования твердых наночастиц и окружающих их сольватных оболочек в коллоидном растворе, сопровождающийся значительным повышением его вязкости и протекающий при увеличении концентрации коллоидного раствора или под влиянием иных внешних воздействий (охлаждение, изменение рН или ионной силы коллоидного раствора).
solid phase epitaxy (эпитаксия твердофазная) - способ наращивания эпитаксиальной пленки, при котором сначала при пониженной температуре осаждается неупорядоченная (аморфная) пленка, после чего проводится ее кристаллизация при более высоких температурах (которые, однако, ниже температуры плавления этого материала).
solid state of matter (твердое тело) - одно из четырёх агрегатных состояний вещества, отличающееся от других агрегатных состояний (жидкости, газов, плазмы) стабильностью формы и характером теплового движения атомов, совершающих малые колебания около положений равновесия.
sorbent (сорбент) - (от лат. sorbeo - поглощаю) - твёрдое тело или жидкость, избирательно поглощающие (сорбирующие) из окружающей среды газы, пары или растворённые вещества.
spinodal decomposition (спинодальный распад) - механизм самопроизвольного разделения неустойчивой фазы на устойчивые фазы.
spintronics (спинтроника) - область твердотельной электроники, основанная на эффекте спинового токопереноса (спин-поляризованного транспорта).
stability of colloidal system (стабильность коллоидного раствора) - свойство коллоидной системы противостоять тенденции к агрегации частиц.
STM operation modes (режимы измерений на СТМ) - в сканирующей туннельной микроскопии (СТМ) есть пять основных варьируемых параметров. Это горизонтальные координаты x и y, высота z, напряжение смещения V и туннельный ток I. В зависимости от того, как эти параметры варьируются, выделяют три основных режима измерений на СТМ.
(1) Режим постоянного тока. В этом режиме I и V поддерживаются постоянными, x и y меняются в ходе сканирования иглы, а z измеряется.
(2) Режим постоянной высоты, который также называют режимом токового изображения. В этом режиме z и V поддерживаются постоянными, x и y меняются в ходе сканирования, а I измеряется.
(3) Сканирующая туннельная спектроскопия (СТС). Это целый набор режимов, в котором варьируется V.
Stranski-Krastanov growth mode (механизм роста Странского - Крастанова) - один из трех основных механизмов роста тонких пленок; описывает случай, когда рост начинается как двумерный (послойный), а затем меняется на трехмерный (островковый).

Subband (of size quantization) (подзона размерного квантования) - совокупность энергетических состояний в одномерном или двумерном газе носителей, принадлежащих одному уровню размерного кантования и отличающихся величиной и направлением квазиимпульса.

subroughness (субшероховатость) - микрорельеф мельчайших элементов рельефа поверхности, участвующих в формировании ее шероховатости.
substrate (подложка) - образец со специально подготовленной поверхностью для наращивания на ней пленок и наноструктур или проведения исследований поверхностных процессов (адсорбции, десорбции, кластерообразования, поверхностной диффузии и т.д.)
supernate (супернатант) - жидкая фаза, остающаяся после того, как нерастворимые вещества осаждаются в процессе центрифугирования или осаждения.
superparamagnetism (суперпарамагнетизм) - квазипарамагнитное поведение веществ и материалов, состоящих из наноразмерных ферро- или ферримагнитных частиц, слабо взаимодействующих друг с другом.
supramolecular chemistry (супрамолекулярная химия) - область химии, исследующая супрамолекулярные структуры (ансамбли, состоящие из двух и более молекул, удерживаемых вместе посредством межмолекулярных взаимодействий); "химия молекулярных ансамблей и межмолекулярных связей" (определение Ж.-М. Лена).
supramolecular gels (супрамолекулярные гели) - гели, образованные из низкомолекулярных гелирующих агентов.
surface (поверхность) - граница раздела двух фаз (твердого тела, жидкости, газа).
surface area, area of interface (площадь поверхности) - площадь границы раздела фаз, определяемая как величина доступной поверхности, установленная данным методом при данных условиях.
surface electromigration (поверхностная электромиграция) - направленное движение частиц (атомов) на поверхности образца, происходящее при пропускании через него электрического тока.
surface diffusion (поверхностная диффузия) - термином «поверхностная диффузия» обычно обозначают диффузию частиц (атомов, молекул или кластеров), адсорбированных на поверхности или составляющих ее, по поверхности образца или подложки.

Surface quantum well (приповерхностная квантовая яма) - самосогласованная потенциальная яма, образующаяся в приповерхностной области полупроводника при приложении к нему внешнего электрического поля (например, при подаче напряжения на полевой электрод полевого транзистора), если размеры ямы близки или сравнимы с длиной волны де Бройля.

surface reconstruction (поверхностная реконструкция) - процесс модификации (перестройки) поверхностного слоя кристалла, в результате которой его атомная структура существенным образом отличается от структуры соответствующих атомных плоскостей в объеме кристалла. Термин "реконструкция" используется также для обозначения самой реконструированной поверхности.
surface relaxation (поверхностная релаксация) - модификация (перестройка) приповерхностного слоя кристалла, при которой атомная структура верхнего слоя остается той же, что и у соответствующих атомных плоскостей в объеме, но расстояние между первым и вторым слоем или их взаимное положение отличаются от таковых в объеме.
superconductivity (сверхпроводимость) - явление падения удельного сопротивления некоторых материалов до нуля вблизи определенной температуры Тс, называемой температурой перехода в сверхпроводящее состояние.
superstructure (сверхструктура) - структура упорядоченного соединения или сплава, в которой атомы разного сорта чередуются правильным образом, формируя периодическую решётку с периодом, превышающим период кристаллической решётки данного соединения или компонентов сплава в отсутствие сверхструктуры.
surface-supported membrane (липидная мембрана на подложке) - липидный бислой, стабилизированный твёрдой поверхностью; является моделью биологических мембран и нашел широкое применение в биотехнологиях.
synchrotron radiation (синхротронное излучение) - тормозное излучение, испускаемое релятивистскими заряженными частицами в однородном магнитном поле. Излучение обусловлено ускорением частиц, появляющемся при искривлении их траекторий в магнитном поле. 

SIRT1

SIRT1 —  (ген семейства Sirtiun) обеспечивает продление жизни благодаря увеличению числа своих копий или гиперактивации кодируемых ими продуктов. 

 Инактивация этого гена у взрослой особи приводит к увеличению продолжительности жизни на 100%. То же происходит и при подавлении активности других генов, связанных с ростом и развитием организмов или влияющих на активность соответствующих молекул. 

Авторизация

логин
пароль
Регистрация Забыли пароль?