Говоря мультиметр об основах наноспинтроники, следует выделить три принципиальных элемента:

I) многослойные системы и наноструктуры на основе металлов, находящие применение в сфере производства датчиков, использующих эффекты супер-магнеторезистивности (GMR) и туннельной магнеторезистивности (TMR), а также современных магнитных носителей информации,

II) полупроводниковые ферромагнитные гетероструктуры и разбавленные магнитные полупроводники, внедрение которых обещает существенно расширить функциональные возможности полупроводниковых наноэлектронных устройств, и

III) молекулярная спинтроника, которая в настоящее время начинает активно развиваться и имеет значительный потенциал в плане миниатюризации и увеличения функциональности. Однако конечный успех деятельности во всех трех направлениях в огромной степени зависит от фундаментального изучения магнитных и зависящих от спина свойств и взаимодействий на атомарном уровне, что требует определения спиновых структур и спиновых возбуждений вплоть до атомарного масштаба.